Olvídate de la RAM y las unidades flash: aquí tienes un tipo de memoria mejor.
Año en que fue reconocido: 2016
Organización: Universidad de Tecnología y Diseño de Singapur
Región: Global
Durante mucho tiempo, los diseñadores de computadoras han buscado una tecnología de memoria universal que reemplace la combinación de RAM (rápida pero cara y volátil, ya que requiere energía para retener la información) y memoria flash (no volátil pero relativamente lenta).
La necesidad de una solución alternativa se ha vuelto más urgente ahora que la Ley de Moore—que permitió la reducción constante del tamaño de los transistores de silicio—está llegando a su límite. Si ya no podemos seguir miniaturizando transistores en los chips de RAM, necesitamos una nueva tecnología de memoria que sea rápida, barata y capaz de almacenar grandes cantidades de datos sin depender de la energía.
Una alternativa prometedora es la memoria basada en materiales de cambio de fase. En lugar de almacenar datos activando o desactivando transistores, esta tecnología utiliza un material especial llamado vidrio calcogenuro, que cambia entre estados amorfos y cristalinos para representar los valores de 1 y 0. En teoría, puede combinar la velocidad de la RAM con la persistencia de la memoria flash.
Desde 2010, Desmond Loke y su equipo han resuelto varios problemas clave que impedían la comercialización de esta tecnología. Como resultado de sus avances, ha desarrollado una versión de memoria de cambio de fase que iguala la velocidad de la RAM y, al mismo tiempo, ofrece una capacidad de almacenamiento mucho mayor que las unidades flash.
Uno de los principales desafíos ha sido la velocidad de conmutación entre los estados cristalino y amorfo, que antes no podía bajar de 50 nanosegundos, mientras que los chips de RAM tradicionales activan o desactivan transistores en menos de un nanosegundo. Loke descubrió que aplicando una pequeña carga constante al material, podía reducir el tiempo de conmutación a solo medio nanosegundo.
Además, logró reducir el tamaño de cada celda de memoria a solo unos pocos nanómetros, disminuyó el consumo de energía y encontró una manera de apilar celdas en tres dimensiones, lo que permite empaquetar aún más capacidad de almacenamiento en un espacio reducido.
